半自動晶圓量測機
(AT-S300系列)
特性
- 條碼載入量測程式功能。
- 自動搜尋量測主要目標。
- 自動搜尋良好訊號區域功能。
- 簡易調整量測程式。
- 可重複指定量測功能。
- 可調式波長光譜配置。
- 自動彙整數據與重新上傳。
- 可多波長光譜儀配置一機多用。
- 快速 3D形貌 & 2D線段繪圖分析。
設備量測規格
項目 | 規格 | AT-S300T | AT-S300R | AT-S300TR |
光譜儀波長範圍 | 1470~1530nm(可微調式) | V | V | |
探頭工作距離 | 5~8mm | V | V | |
晶圓對應形式 | 2″~12″(unframed and framed) | V | V | V |
厚度量測精度 (Silicon) | less than +/-0.5um | V | V | |
厚度量測範圍 (Silicon) | 7um~800um Base on Silicon | V | V | |
薄膜量測範圍 (DAF) | 10um~120um | V | V | |
厚度量測重複性 | less than +/-0.5um | V | V | |
粗糙度量測範圍 | Ra 1nm~100nm | V | V | |
粗糙度量測精度與重複性 | Ra less than 20nm(+/-0.5nm); Ra more than 20nm(5%) | V | V | |
選配 | SECS/GEM EXTENSION | V | V | V |
選配 | THIN-FILM Measurement module | V | V | V |
選配 | ESD IONIZER | V | V | V |
◎ 量測精度均與厚度標準片驗證。
與德系廠牌比較表
Model name | AT-S300系列 | 德系301系列 |
Measurement Accuracy | +/-0.5um | +/-0.5um |
Measurement Repeatability | +/-0.5um | +/-0.5um |
Without Z-axis focusing damage risk | Yes | X |
Incoming wafer Warpage limitation for Thickness measurement | less than 5mm | less than 1.2mm |
Wafer warpage measure limitation | Max. 5000um | Max. 1200um |
High-warpage wafer THK measurement | Yes | X |
High-warp wafer Warpage measurement | Yes | X |
Auto search main measure target | Yes | X |
Auto search good signal area (Re-try) | Yes | X |
Adjustble wavelength | Yes | X |
Re-Update measured data function | Yes | X |
Fast – 3D wafer map | Yes | X |
Thick-DAF layer thickness application | Yes | X |
Thin-DAF layer thickness application | Yes | X |